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01 中安创芯半导体及电子设备制造项目

        总用地面积407.49亩，总建筑面积为419936.65㎡，总投资171095.25万元，建设内容包括有4栋高层科研楼（裙房商业配套）、2栋宿舍楼（裙房商业配套）、1栋独立食堂+文体中心综合楼、8种类型厂房（厂房A、B、C、D、E、F、G、H组团）、环保组团、2栋动力用房、以及配套地下车库及人防工程。项目建成后主要发展半导体电子产业、引进半导体及电子信息类项目。

        目前进展：一期：19栋厂房主体完成，二次结构完成、抹灰完成、外墙涂料完成90%、安装工程完成93%，6栋配套楼主体完成，二次结构完成99%、外墙保温完成88%、外墙涂料完成85%，室外管网完成99%；二期：28栋厂房主体完成、二次结构完成、内抹灰完成、外墙涂料完成95%、安装工程完成70%；1栋配套楼主体结构完成、二次结构完成、内抹灰完成95%；室外管网完成95%、第一层水稳层完成60%。